基于半導體納米線(xiàn)的新概念有望使微電子電路中的晶體管更好、更高效。電子遷移率在其中起著(zhù)關(guān)鍵作用。電子在這些細線(xiàn)中加速越快，晶體管的開(kāi)關(guān)速度就越快，所需的能量就越少。來(lái)自亥姆霍茲-德累斯頓-羅森道夫中心(HZDR)、德累斯頓工業(yè)大學(xué)和 NaMLab 的一個(gè)研究小組現在已經(jīng)成功地通過(guò)實(shí)驗證明，當外殼將線(xiàn)芯置于拉伸應變之下時(shí)，納米線(xiàn)中的電子遷移率明顯增強。這一現象為開(kāi)發(fā)超高速晶體管提供了新的機會(huì )。

　　納米線(xiàn)有一個(gè)獨特的特性。這些超薄的線(xiàn)可以承受非常高的彈性應變而不損壞材料的晶體結構。而這些材料本身卻并不罕見(jiàn)。例如，砷化鎵被廣泛用于工業(yè)制造，并且已知其具有較高的內在電子遷移率。為了進(jìn)一步提高這種流動(dòng)性，德累斯頓的研究人員生產(chǎn)了由砷化鎵芯和砷化銦鋁殼組成的納米線(xiàn)。不同的化學(xué)成分導致殼和芯的晶體結構具有輕微不同的晶格間距。這導致殼對更薄的芯施加了很高的機械應力。核心中的砷化鎵改變了其電子特性。這就影響了核心中電子的有效質(zhì)量。電子變得更輕，可以說(shuō)，這使它們更具流動(dòng)性。

　　最初的理論預測現在已經(jīng)被最近發(fā)表的研究報告中的研究人員通過(guò)實(shí)驗證明。我們知道，核心的電子在拉伸緊張的晶體結構中應該有更大的流動(dòng)性。但我們不知道的是，線(xiàn)殼會(huì )在多大程度上影響核心中的電子移動(dòng)性。核心非常薄，允許電子與外殼相互作用并被其散射。一系列的測量和測試證明了這種效果。盡管與外殼有相互作用，但在室溫下，被調查的線(xiàn)芯中的電子比無(wú)應變的可比納米線(xiàn)或散裝砷化鎵中的電子快約 30%。

　　研究人員通過(guò)應用非接觸式光學(xué)光譜學(xué)來(lái)測量電子遷移率。使用一個(gè)光學(xué)激光脈沖，他們讓電子在材料內部自由活動(dòng)?？茖W(xué)家們選擇了光脈沖的能量，使外殼看起來(lái)對光幾乎透明，而自由電子只在線(xiàn)芯中產(chǎn)生。隨后的高頻太赫茲脈沖使自由電子發(fā)生振蕩。將結果與模型相比較，可以發(fā)現電子是如何移動(dòng)的。它們的速度越高，遇到的障礙越少，振蕩持續的時(shí)間就越長(cháng)。
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