3nm 時(shí)代，三星選擇采用環(huán)繞柵極 (GAAFET) 晶體管架構打造 3nm 芯片，而臺積電則延續了鰭式場(chǎng)效應管(FinFET)的方案，預計臺積電 3nm(N3)芯片將于今年下半年投產(chǎn)。

　　臺灣《經(jīng)濟日報》稱(chēng)，雖然在 3nm 世代略有保守，但無(wú)論如何，鰭片 (Fin) 寬度都已經(jīng)接近實(shí)際極限，再向下就會(huì )遇到瓶頸，所以外資法人預估臺積電 2nm 先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場(chǎng)效電晶體 GAAFET 高端架構生產(chǎn) 2nm 芯片。

　　根據臺積電官網(wǎng)顯示，臺積電將持續與全球 16 家 EDA 廠(chǎng)商組成電子設計自動(dòng)化聯(lián)盟，其中就包括全球前 5 大 EDA 廠(chǎng)商。

　　美系外資法人指出，臺積電在先進(jìn)制程的 EDA 軟件工具方面與美國廠(chǎng)商關(guān)系非常密切，其多數高端設備與 IP 不僅由美商供應，另外科磊(KLA)制程監控設備以及 ASML 的極紫外光 EUV 光刻機，也很難由日本、歐洲、甚至中國廠(chǎng)商取代。

　　外資法人表示，未來(lái) 5 年至 10 年，全球先進(jìn)晶圓制程仍將以美系 EDA 軟件(目前主要是新思科技、益華電腦以及西門(mén)子)和矽智財 IP 為核心，設計或制造芯片。

　　盡管 EDA 工具高度集中在美國企業(yè)名下，不過(guò)其他大廠(chǎng)在 EDA 方面并未缺席，例如聯(lián)發(fā)科 5 月上旬與臺大電資學(xué)院及至達科技合作，將 AI 人工智慧技術(shù)應用于 IC 設計，帶動(dòng) EDA 智能化發(fā)展。

　　鴻海集團也同樣正在積極布局半導體芯片設計，旗下工業(yè)富聯(lián)在 7 月中旬透露他們正布局半導體鎖定先進(jìn)封裝、測試、裝備及材料、電子設計自動(dòng)化軟件、芯片設計等領(lǐng)域。

　　亞系外資法人指出，2020 年全球 EDA 市場(chǎng)規模約 115 億美元，預估今年規模逼近 134 億美元，盡管規模不大，卻直接關(guān)系著(zhù)全球超過(guò) 6000 億美元規模的半導體產(chǎn)業(yè)、以及全球數十兆美元規模的數字經(jīng)濟發(fā)展。

　　對于芯片需求前景，臺積電稱(chēng)其 2023 年的增長(cháng)將由先進(jìn)技術(shù)支撐，高性能計算(HPC)將成為長(cháng)期增長(cháng)的主要引擎。公司目前預計 2023 年產(chǎn)能利用率將保持良好。

　　在下一代芯片投產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)方面，臺積電強調 3nm(N3)芯片將于今年下半年投產(chǎn)，明年上半年貢獻營(yíng)收。IT之家提醒，臺積電的 3nm 工藝有眾多衍生版本，包括 N3、N3P、N3S、N3X、N3E，將會(huì )陸續在未來(lái)兩三年內量產(chǎn)。

　　對于 2nm 芯片(N2)，臺積電重申其將于 2025 年實(shí)現量產(chǎn)。2nm 芯片是臺積電的一個(gè)重大節點(diǎn)，該工藝將會(huì )采用納米片晶體管(Nanosheet)，取代鰭式場(chǎng)效應晶體管(FinFET)，這意味著(zhù)臺積電工藝正式進(jìn)入 GAA 晶體管時(shí)代。其中，2nm 芯片相較于 3nm 芯片，在相同功耗下，速度快 10~15%。在相同速度下，功耗降低 25~30%。

　　財報顯示，臺積電第二季度 5nm 制程晶圓出貨量占據公司營(yíng)收的 21%(前季 20%)，7nm 制程晶圓出貨量占據公司營(yíng)收的 30%(前季 30%)，本季度 5nm 制程工藝營(yíng)收繼續提升，但還未超過(guò) 7nm 制程工藝帶來(lái)的營(yíng)收。此外，臺積電先進(jìn)制程 (7nm 及更先進(jìn)制程) 營(yíng)收總占比達到 51%，較前季的 50% 繼續擴大。
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